氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，远远大于氮化镓（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁带宽度。在功率半导体方面，氧化镓的击穿电场强度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化镓的击穿电场强度可达8MV/cm。由于氧化镓在诸多领域的重要应用价值,氧化镓材料和器件的研究与应用，已成为当前研究与开发的热点和重点。为此，我们提供2英寸的Ga2O3单晶衬底。

标准技术参数：

备注：如需要其它晶面和尺寸的Ga2O3单晶衬底，请与我们联系。